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| 货号 | CAS号 | 编号 | 包装 | 参数 | 库存 | 货期 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 101930 | 1317-33-5 | JP209 | 100ml | 浓度:1mg/ml溶剂需备注 | -1 | 7-10个工作日 | 咨询客服 |
| 103597 | 1317-33-5 | JP209 | 100ml | 浓度:2mg/ml溶剂需备注 | 0 | 7-10个工作日 | 咨询客服 |
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| 货号 | CAS号 | 编号 | 包装 | 参数 | 库存 | 货期 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 100913 | 1317-33-5 | JP136 | 200 ml | 浓度: 0.1mg/ml, 溶剂: 水 | 0 | 3个工作日 | 咨询客服 |
| 100914 | 1317-33-5 | JP136 | 500 ml | 浓度: 0.1mg/ml, 溶剂: 水 | 0 | 3个工作日 | 咨询客服 |
| 100915 | 1317-33-5 | JP136 | 200 ml | 浓度: 0.1mg/ml, 溶剂: 乙醇 | 0 | 3个工作日 | 咨询客服 |
| 100916 | 1317-33-5 | JP136 | 500 ml | 浓度: 0.1mg/ml, 溶剂: 乙醇 | 0 | 3个工作日 | 咨询客服 |
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| 货号 | CAS号 | 编号 | 包装 | 参数 | 库存 | 货期 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 100187 | 1317-33-5 | JP063 | 5 g | 纯度99.0wt% 粒径90nm 比表面积35m2/g | 4 | 15-20个工作日 | 咨询客服 |
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| 固定碳99% | 货号。 |
| 品名机械剥离氧化铝基底单层二硫化钼 | 规格1 盒目 |
| 型号JPG16 | 牌号Jinpan |
| 水分。% | 膨胀度。倍 |
| 筛上物粒度。% | 灰分。 |
| 挥发分。% | 筛下物粒度。% |
| 品牌Jinpan |
产品名称
中文名称: 机械剥离氧化铝基底单层二硫化钼
英文名称：Mechanical eJPoliation MoS2 on Al2O3
性质
形态：薄膜
参数
基底：氧化铝
基底尺寸：10 mmx10 mm
MOS2面积: ＞10 μm2
应用
***推出机械剥离制备的二硫化钼，相比较锂插层制备的单层类石墨烯材料，该类材料具有缺陷少，优异的光学性质，可以研究层数和荧光效应，此外，由于保持了原有晶格结构，所以该类材料是制备器件的理想材料。
其他信息
详情请发邮件至：sales@jinpanbio.com
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| 固定碳99% | 货号。 |
| 品名CVD氧化铝基底单层二硫化钼 | 规格1 盒目 |
| 型号JP165 | 牌号Jinpan |
| 水分。% | 膨胀度。倍 |
| 筛上物粒度。% | 灰分。 |
| 挥发分。% | 筛下物粒度。% |
| 品牌Jinpan |
产品名称
中文名称: CVD氧化铝基底单层二硫化钼
英文名称：Single Layer MoS2 on Al2O3
性质
形态：薄膜
参数
基底：氧化铝
基底尺寸：9 mm*9 mm
片径范围：20-50 μm
厚度：0.6～0.8 nm
应用
***推出CVD法制备的单层二硫化钼，相比较锂插层制备的单层二硫化钼，该产品具有缺陷少，层数可控，优异的光学性质，是研究层数和荧光效应和制备器件的优异材料，欢迎咨询。
其他信息
详情请发邮件至：sales@jinpanbio.com
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| 固定碳99% | 货号. |
| 品名CVD蓝宝石基底单层二硫化钼连续薄膜 | 规格1 盒目 |
| 型号JP177 | 牌号Jinpan |
| 水分。% | 膨胀度。倍 |
| 筛上物粒度。% | 灰分。 |
| 挥发分。% | 筛下物粒度。% |
| 品牌Jinpan |
产品名称
中文名称: CVD蓝宝石基底单层二硫化钼连续薄膜
英文名称：monolayer continuous film of MoS2 on sapphire substrate
性质
形态：薄膜
参数
MoS2薄膜尺寸：8 mm*8 mm
厚度：0.6～0.8 nm
基底：蓝宝石
应用
***推出CVD法制备的单层二硫化钼连续薄膜，相比较锂插层制备的单层二硫化钼，该产品具有缺陷少，层数可控，优异的光学性质，是研究层数和荧光效应和制备器件的优异材料，欢迎咨询。
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| 固定碳99% | 货号。 |
| 品名机械剥离蓝宝石基底单层二硫化钼 | 规格1 盒目 |
| 型号JPG15 | 牌号Jinpan |
| 水分。% | 膨胀度。倍 |
| 筛上物粒度。% | 灰分。 |
| 挥发分。% | 筛下物粒度。% |
| 品牌Jinpan |
产品名称
中文名称: 机械剥离二氧化硅基底单层二硫化钼
英文名称：Mechanical eJPoliation MoS2 on sapphire substrate
性质
形态：薄膜
参数
基底：蓝宝石
基底尺寸：10 mmx10 mm
MOS2面积: ＞10 μm2
应用
***推出机械剥离制备的二硫化钼，相比较锂插层制备的单层类石墨烯材料，该类材料具有缺陷少，优异的光学性质，可以研究层数和荧光效应，此外，由于保持了原有晶格结构，所以该类材料是制备器件的理想材料。
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| 固定碳99% | 货号。 |
| 品名小片径少层二硫化钼粉末 | 规格500 mg目 |
| 型号JP158 | 牌号Jinpan |
| 水分。% | 膨胀度。倍 |
| 筛上物粒度。% | 灰分。 |
| 挥发分。% | 筛下物粒度。% |
| 品牌Jinpan |
类石墨烯二硫化钼是由六方晶系的单层或多层二硫化钼组成的具有“三明治夹心”层状结构的二维晶体材料，在润滑剂、催化、能量存储、复合材料等众多领域应用广泛。先丰目前可以提供高品质的小片径少层MoS2粉末以及分散液（产品编号分别为JP158、JP159和JP160），通过TEM、SEM和AFM的表征显示，MoS2片层在1-10层，片径分布为20-500 nm，主要集中分布在100-200 nm。
技术参数
|
名称 |
片径 |
厚度 |
层数 |
溶剂 |
颜色 |
|
小片径少层 二硫化钼 |
20-500 nm |
1～4 nm |
1～10 |
水或乙醇 |
黑色溶液或粉末 |
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| 固定碳99% | 货号。 |
| 品名单层二硫化钼分散液 浓度1 mg/mL | 规格200 ml目 |
| 型号JP135 | 牌号Jinpan |
| 水分。% | 膨胀度。倍 |
| 筛上物粒度。% | 灰分。 |
| 挥发分。% | 筛下物粒度。% |
| 品牌Jinpan |
产品名称
中文名称: 单层二硫化钼分散液 浓度1 mg/mL
英文名称：Single Layer Monlybdenum Disulfide Dispersion
性质
形态：黑色溶液
参数
片径：0.2-5 μm
厚度：～1 nm
单层率：?=90wt%
形态：黑色溶液或粉末
含有稳定剂LiOH
应用
类石墨烯二硫化钼是由六方晶系的单层或多层二硫化钼组成的具有“三明治夹心”层状结构的二维晶体材料，在润滑剂、催化、能量存储、复合材料等众多领域应用广泛。
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| 固定碳99% | 货号。 |
| 品名进口二硫化钼分散液 | 规格100 ml目 |
| 型号JP043 | 牌号Jinpan |
| 水分。% | 膨胀度。倍 |
| 筛上物粒度。% | 灰分。 |
| 挥发分。% | 筛下物粒度。% |
| 品牌Jinpan |
进口二硫化钼分散液 1-8层
Molybdenum Disulfide (MoS2) Pristine Flakes in Solution, 100 ML
MoS2 Pristine Flakes are nanoscale crystals dispersed in ethanol solution. If separated from the solution, nano-MoS2forms emerald-green crystals that look different from the silver-black crystals of bulk MoS2.
Properties:
Lateral Size: 100-400 nm
Thickness: 1-8 monolayers
Purity in dry phase: >***
Solution Concentration: 18 mg/L
Solution is stable under ambient conditions
SEM image of an Individual flake
UV-Visible Absorption Spectrum
Each Mo(IV) center of MoS2 is occupying a trigonal prismatic coordination sphere, which is bound to six sulfide ligands. The sulfur centre is connected to three Molybdenum centres, which are pyramidal. The trigonal prisms are layered, sandwiching molybdenum atoms between layers of sulfur atoms.
Depiction of MoS2 Crystal Structure1
MoS2 in its monolayer form has recently been under particular recognition for its intriguing electrical and optical properties. Bulk MoS2 is generally an n-type semiconductor with an indirect bandgap (~1.3 eV) and a carrier mobility in the range of 50-200 cm2 V-1s-1 at room temperature. On the other hand, monolayer MoS2 has a direct bandgap of ~1.8 eV, and can be useful in low-power switching devices.
MoS2 Raman Spectrum
AFM Image of an MoS2 Flake on SiO2
Preparation Method: Solution-Based EJPoliation
Applications:
Transistors
Flexible Displays
Optics
MoS2 Research
Inks
Thin Semiconducting Films
This solution can be easily deposited onto a substrate or surface of your choice to form a thin film coating.
SEM Image of an MoS2 Thin Film on SiO2