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| 固定碳99% | 货号。 |
| 品名CVD二氧化硅基底单层二硫化钼 | 规格1 盒目 |
| 型号JP163 | 牌号Jinpan |
| 水分。% | 膨胀度。倍 |
| 筛上物粒度。% | 灰分。 |
| 挥发分。% | 筛下物粒度。% |
| 品牌Jinpan |
展开
Jinpan CVD二氧化硅基底单层二硫化钼
产品名称
中文名称: CVD二氧化硅基底单层二硫化钼
英文名称：Single Layer MoS2 on SiO2
性质
形态：薄膜
参数
基底：二氧化硅
基底尺寸：9 mm*9 mm
片径范围：20-50 μm
厚度：0.6～0.8 nm
应用
***推出CVD法制备的单层二硫化钼，相比较锂插层制备的单层二硫化钼，该产品具有缺陷少，层数可控，优异的光学性质，是研究层数和荧光效应和制备器件的优异材料，欢迎咨询。
其他信息
详情请发邮件至：sales@jinpanbio.com